aigzo

由顏同偉著作·2010—在本篇論文中，我們成功利用射頻濺鍍的方式製造出a-IGZO薄膜電晶體。由於射頻濺鍍擁有製程溫度低、大面積均勻性佳的薄膜特性，使得此項技術成為製作a-IGZO通道層的主要方法 ...,2013年6月19日—IGZO是由In2O3、Ga2O3和ZnO這三種氧化物所組成的材料系統，並不專指某一特定成分的銦鎵鋅氧化物。如果三者組合起來時In、Ga和Zn的原子數量相同，那麼IGZO ...,由黃慶能著作·2009—本論文意在發展出非晶銦-鎵-鋅-氧薄...

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由 顏同偉 著作 · 2010 — 在本篇論文中，我們成功利用射頻濺鍍的方式製造出a-IGZO薄膜電晶體。由於射頻濺鍍擁有製程溫度低、大面積均勻性佳的薄膜特性，使得此項技術成為製作a-IGZO通道層的主要方法 ...

IGZO材料、元件特性及其基本原理(一)

2013年6月19日 — IGZO是由In2O3、Ga2O3和ZnO這三種氧化物所組成的材料系統，並不專指某一特定成分的銦鎵鋅氧化物。如果三者組合起來時In、Ga和Zn的原子數量相同，那麼IGZO ...

IGZO薄膜電晶體之光學低溫退火與金屬接觸界面處理

由 黃慶能 著作 · 2009 — 本論文意在發展出非晶銦-鎵-鋅-氧薄膜電晶體(a-IGZO TFTs)的光學低溫退火製程。未經退火處理的a-IGZO TFT在在電性上的表現是很不穩定的，而後段退火處理則可以促進其在 ...

低電壓氧化物半導體a

在這篇論文中，我們介紹操作在低電壓下氧化物半導體a-IGZO與共聚物介電層薄膜電晶體。本實驗以bottom gate的結構，在玻璃基板上製作，以旋轉塗佈技術製作高分子閘極氧化層 ...

使用機器學習技術對a

本論文使用Silvaco TCAD模擬非晶銦鎵鋅氧化物α-IGZO (Amorphous-Indium-Gallium-Zinc-Oxide)薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)，並且搭配自編譯器(Autoencoder)來 ...

探討氧化鋁保護層改善a

化物(IGZO)所製成的透明電晶體最引人注目，又a-IGZO 材料可以經由製程條件. 以及後續處理來控制載子濃度，使a-IGZO 材料形成導體、半導體或絕緣體特性。 在電子傳統矽 ...

氧化銦鎵鋅

氧化銦鎵鋅（英語：indium gallium zinc oxide，縮寫：IGZO）是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術，IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄 ...

藉由不同源-汲極電極製程之a

論文摘要本論文以不同電極材料製程使用於氧化銦鎵鋅(In-Ga-Zn-O, IGZO)薄膜電晶體之源-汲極電極研究；首先藉由RF濺鍍法沈積不同源-汲極電極(IZO、ITO)之a-IGZO薄膜電晶體， ...

非晶氧化物InGaZnO4 薄膜製備的透明薄膜電晶體

由 馬文元 著作 · 2005 — 本論文研究以非晶氧化物InGaZnO4 (a-IGZO)透明半導體薄膜，來. 製備透明薄膜電晶體元件。霍爾量測顯示：在室溫下、氧氣壓力介於. 20~200 mtorr 沉積的非晶相InGaZnO 4 ...